雖然有些人認為 GaN 仍是一種相對較新的技術，但卻無法否認它躋身一流技術行列的事實。GaN（又名“氮化鎵”）技術即將取代硅 LDMOS，后者一直以來都是高功率應用的首選。GaN 是一種 III-V 直接帶隙半導體技術。由于其具備更高的效率、出色的高壓可持續性、更低的功耗、更高的溫度屬性和功率處理特性，GaN 在功率電子設備領域的應用越來越廣泛。

這些屬性使 GaN 成為 5G 射頻的焦點，尤其是在毫米波 5G 網絡中。雖然我們都“聽說過”5G 的各種前景，隨著主要的無線網絡運營商向其客戶推出 5G 服務，如今大城市中的許多人，更確切地說大約有 500 萬人，開始了解這些前景。但其實我們尚未到那一步。完全不是那么回事。我們的目標是到 2025 年連接 28 億用戶。要實現這一目標，就意味著要改造整個移動基礎設施，雖然這是一項復雜的任務，但卻是能夠完成的。借助 GaN 技術，5G 將在不知不覺中達到數十億用戶。

最近，Embedded.com 邀請 Qorvo 的 Roger Hall 撰寫了一系列 5G 文章，說明構建基礎設施的復雜性，以及在普及 5G 的創新中哪些方面適用 GaN。下面是每篇文章的摘要，并附有鏈接，以便大家深入了解。

5G 和 GaN：全面了解 6GHz 以下大規模 MIMO 基礎設施

在這篇文章中，Roger 說明了運營商在推出 5G 時，利用大規模 MIMO 技術最小化成本和提高容量的優勢。他還探討了 6GHz 以下技術，并說明了為什么該技術對 5G 的采用和擴展至關重要。  此外，他還談到了如何在大規模 MIMO 基礎設施應用中使用 GaN。